Susceptor MOCVD le Cumhdach TaC

Is soláthraí cuimsitheach é VeTek Semiconductor a bhfuil baint aige le taighde, forbairt, táirgeadh, dearadh agus díol bratuithe TaC agus páirteanna brataithe SiC. Tá ár saineolas suite i dtáirgeadh Susceptor MOCVD úrscothach le TaC Coating, a bhfuil ról ríthábhachtach acu sa phróiseas epitaxy LED. Cuirimid fáilte romhat fiosrúcháin agus tuilleadh eolais a phlé linn.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Is monaróir, soláthraí agus onnmhaireoir tosaigh na Síne é VeTek Semiconductor a dhéanann sainfheidhmiú ar MOCVD Susceptor le TaC Coating. Tá fáilte romhat teacht chuig ár n-mhonarcha chun an díolachán is déanaí, an praghas íseal, agus na Srathóirí MOCVD ardchaighdeáin a cheannach le Cumhdach TaC. Táimid ag tnúth le comhoibriú leat.

Tá dúshláin os comhair epitaxy LED mar rialú cáilíochta criostail, roghnú agus meaitseáil ábhar, dearadh struchtúrach agus leas iomlán a bhaint, rialú próisis agus comhsheasmhacht, agus éifeachtacht eastóscadh solais. Tá sé ríthábhachtach an t-ábhar ceart iompróra epitaxy wafer a roghnú, agus soláthraíonn sé buntáistí breise a sciath le scannán tanaí chomhdhúile tantalam (TaC) (sciath TaC).

Agus ábhar iompróra epitaxy wafer á roghnú, ní mór roinnt príomhfhachtóirí a chur san áireamh:

Caoinfhulaingt teochta agus cobhsaíocht cheimiceach: Tá teocht ard i gceist le próisis epitaxy LED agus d'fhéadfadh úsáid ceimiceán a bheith i gceist leo. Dá bhrí sin, is gá ábhair a roghnú le caoinfhulaingt teocht maith agus cobhsaíocht cheimiceach chun cobhsaíocht an iompróra a chinntiú i dtimpeallachtaí ardteochta agus ceimiceacha.

Maoile dromchla agus friotaíocht caitheamh: Ba chóir go mbeadh maoile maith ag dromchla an iompróra wafer epitaxy chun teagmháil aonfhoirmeach agus fás cobhsaí an wafer epitaxy a chinntiú. Ina theannta sin, tá friotaíocht caitheamh tábhachtach chun damáiste dromchla agus scríobadh a chosc.

Seoltacht theirmeach: Cuidíonn ábhar le seoltacht theirmeach maith a roghnú chun teas a scaipeadh go héifeachtach, teocht fáis chobhsaí a choinneáil don chiseal epitaxy agus cobhsaíocht agus comhsheasmhacht an phróisis a fheabhsú.

Maidir leis seo, cuireann sciath an iompróra wafer epitaxy le TaC na buntáistí seo a leanas:

Cobhsaíocht ardteochta: Léiríonn sciath TaC cobhsaíocht ardteochta den scoth, rud a ligeann dó a struchtúr agus a fheidhmíocht a choinneáil le linn próisis epitaxy ardteochta agus caoinfhulaingt teochta níos fearr a sholáthar.

Cobhsaíocht cheimiceach: Tá sciath TaC resistant a chreimeadh ó cheimiceáin choitianta agus atmaisféar, ag cosaint an iompróra ó dhíghrádú ceimiceach agus ag cur lena marthanacht.

Cruas agus friotaíocht caitheamh: Tá cruas ard agus friotaíocht caitheamh ag sciath TaC, ag neartú dromchla an iompróra wafer epitaxy, ag laghdú damáiste agus caitheamh, agus ag síneadh a shaolré.

Seoltacht theirmeach: Léiríonn sciath TaC seoltacht teirmeach maith, ag cuidiú le diomailt teasa, ag cothabháil teocht fáis chobhsaí don chiseal epitaxy, agus ag feabhsú cobhsaíocht agus comhsheasmhacht an phróisis.

Mar sin, cabhraíonn roghnú iompróir wafer epitaxy le sciath TaC le dul i ngleic le dúshláin epitaxy LED, ag freastal ar riachtanais timpeallachtaí ardteochta agus ceimiceacha. Tugann an sciath seo buntáistí cosúil le cobhsaíocht ardteochta, cobhsaíocht cheimiceach, cruas agus friotaíocht caitheamh, agus seoltacht theirmeach, ag cur le feidhmíocht fheabhsaithe, saolré agus éifeachtacht táirgthe an iompróra wafer epitaxy.

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath TaC:

Airíonna fisiceacha sciath TaC
Dlús	14.3 (g/cm³)
Emissivity sonrach	0.3
Comhéifeacht leathnú teirmeach	6.3 10-6/K
Cruas (HK)	2000 HK
Friotaíocht	1 × 10-5 Ohm * cm
Cobhsaíocht theirmeach	<2500 ℃
Athraíonn méid graifíte	-10~-20um
Tiús sciath	≥20um luach tipiciúil (35um ±10um)