An tSín Teicneolaíocht MOCVD Monaróir, Soláthraí, Monarcha

Tá buntáiste agus taithí ag VeTek Semiconductor ar pháirteanna spártha Teicneolaíochta MOCVD.

Is féidir MOCVD, an t-ainm iomlán ar Thaisceadh Gal Cheimiceach Miotail-Orgánach (Sistíocht Gal Cheimiceach miotail-orgánach), a thabhairt ar epitaxy chéim gal miotail-orgánach freisin. Is aicme comhdhúile iad Comhdhúile Orgánacha a bhfuil naisc mhiotal-charbóin acu. Tá nasc ceimiceach amháin ar a laghad sna comhdhúile seo idir adamh miotail agus adamh carbóin. Is minic a úsáidtear comhdhúile miotail-orgánacha mar réamhtheachtaithe agus is féidir leo scannáin tanaí nó nanastruchtúir a fhoirmiú ar an tsubstráit trí theicnící éagsúla taiscthe.

Is teicneolaíocht fáis epitaxial coitianta é taisceadh gaile ceimiceach miotail-orgánach (teicneolaíocht MOCVD), úsáidtear teicneolaíocht MOCVD go forleathan i monarú léasair leathsheoltóra agus soilse. Go háirithe nuair a dhéantar stiúir déantúsaíochta, is príomhtheicneolaíocht é MOCVD maidir le táirgeadh nítríde Gailliam (GaN) agus ábhair ghaolmhara.

Tá dhá phríomhchineál Epitaxy ann: Epitaxy Chéim Leachtach (LPE) agus Vapor Phase Epitaxy (VPE). Is féidir epitaxy céim gháis a roinnt tuilleadh ina thaisceadh gaile ceimiceach miotail-orgánach (MOCVD) agus ina epitaxy léas móilíneach (MBE).

Is iad Aixtron agus Veeco go príomha a dhéanann ionadaíocht ar mhonaróirí trealaimh eachtracha. Tá córas MOCVD ar cheann de na príomhthrealamh chun léasair, soilse, comhpháirteanna fótaileictreach, cumhacht, feistí RF agus cealla gréine a mhonarú.

Príomhghnéithe na páirteanna spártha teicneolaíochta MOCVD a mhonaraigh ár gcuideachta:

1) Ard-dlús agus imchochlú iomlán: tá an bonn graifít ina iomláine i dtimpeallacht oibre ard-teocht agus creimneach, ní mór an dromchla a bheith fillte go hiomlán, agus ní mór go mbeadh dlús maith ag an sciath chun ról cosanta maith a imirt.

2) Maoile dromchla maith: Toisc go n-éilíonn an bonn graifít a úsáidtear le haghaidh fás criostail aonair maoile dromchla an-ard, ba cheart maoile bunaidh an bonn a choinneáil tar éis an sciath a ullmhú, is é sin, caithfidh an ciseal sciath a bheith aonfhoirmeach.

3) Neart nascáil maith: Laghdaigh an difríocht i gcomhéifeacht leathnú teirmeach idir an bonn graifít agus an t-ábhar sciath, rud a d'fhéadfadh an neart nascáil idir an dá cheann a fheabhsú go héifeachtach, agus nach bhfuil an sciath éasca a crack tar éis taithí teocht ard agus íseal teasa. timthriall.

4) Seoltacht teirmeach ard: éilíonn fás sliseanna ard-chaighdeán an bonn graifíte teas tapa agus aonfhoirmeach a sholáthar, mar sin ba cheart go mbeadh seoltacht ard teirmeach ag an ábhar sciath.

5) Leáphointe ard, friotaíocht ocsaídiúcháin ardteocht, friotaíocht creimeadh: ba cheart go mbeadh an sciath in ann oibriú go cobhsaí i dtimpeallacht oibre ardteochta agus creimneach.

Cuir tsubstráit 4 orlach
Epitaxy gorm-uaine le haghaidh LED atá ag fás
Lonnaithe sa seomra imoibrithe
Teagmháil dhíreach leis an wafer Cuir tsubstráit 4 orlach
Úsáidtear é chun scannán epitaxial UV LED a fhás
Lonnaithe sa seomra imoibrithe
Teagmháil dhíreach leis an wafer Meaisín Veeco K868/Veeco K700
Epitaxy LED bán/epitaxy LED Gorm-uaine Úsáidte i Trealamh VEECO
Le haghaidh MOCVD Epitaxy
Suimitheoir Cumhdach SiC Trealamh Aixtron TS
Epitaxy ultraivialait dhomhain
Foshraith 2-orlach Trealamh Veeco
Dearg-Buí LED Epitaxy
Foshraith Wafer 4-orlach Susceptor Brataithe TaC
(Glacadóir SiC Epi/ UV LED) Susceptor Brataithe SiC
(Suíomhadóir ALD/ Si Epi/ LED MOCVD)