Graifít scagach Fás Criostail SiC

Fás Criostail SiC Is ábhar é Graifít Phóiriúil a dhéantar as graifít phóiriúil a bhfuil struchtúr pore an-inrialaithe aige. I bpróiseáil leathsheoltóra, taispeánann sé seoltacht teirmeach den scoth, friotaíocht ard teochta agus cobhsaíocht cheimiceach, agus mar sin úsáidtear go forleathan é i dtaiscí gaile fisiceach, taisceadh gaile ceimiceach agus próisis eile, ag feabhsú go mór éifeachtacht an phróisis táirgthe agus cáilíocht an táirge, ag éirí leathsheoltóra optamaithe. Ábhair atá ríthábhachtach maidir le feidhmíocht trealaimh déantúsaíochta.

Sa phróiseas PVD, úsáidtear SiC Crystal Growth Porous Graphite de ghnáth mar thacaíocht substráit nó daingneán. Is é an fheidhm atá aige ná tacú leis an wafer nó foshraitheanna eile agus cobhsaíocht an ábhair a chinntiú le linn an phróisis taisce. Is gnách go mbíonn seoltacht theirmeach Graifít Phóiriúil idir 80 W/m·K agus 120 W/m·K, rud a chuireann ar chumas Graifít Phóiriúil teas a sheoladh go tapa agus go cothrom, róthéamh áitiúil a sheachaint, rud a choscann sil-leagan míchothrom scannán tanaí, rud a fheabhsaíonn éifeachtacht próisis go mór. .

Ina theannta sin, is é 20% ~ 40% an raon porosity tipiciúil de SiC Crystal Growth Porous Graphite. Is féidir leis an saintréith seo cabhrú leis an sreabhadh gáis a scaipeadh sa seomra folúis agus cosc ​​a chur ar an sreabhadh gáis ó thionchar a dhéanamh ar aonfhoirmeacht an tsraith scannáin le linn an phróisis taisce.

Sa phróiseas CVD, soláthraíonn struchtúr scagach SiC Crystal Growth Porous Graphite cosán idéalach le haghaidh dáileadh aonfhoirmeach gáis. Déantar an gás imoibríoch a thaisceadh ar dhromchla an tsubstráit trí imoibriú ceimiceach gás-chéim chun scannán tanaí a fhoirmiú. Éilíonn an próiseas seo rialú beacht ar shreabhadh agus ar dháileadh an gháis imoibríoch. Is féidir le porosity 20% ~ 40% de Porous Graphite gás a threorú go héifeachtach agus é a dháileadh go cothrom ar dhromchla an tsubstráit, feabhas a chur ar aonfhoirmeacht agus comhsheasmhacht na ciseal scannáin taiscthe.

Úsáidtear Porous Graphite go coitianta mar fheadáin foirnéise, iompróirí substráit nó ábhair masc i dtrealamh CVD, go háirithe i bpróisis leathsheoltóra a dteastaíonn ábhair ard-íonachta orthu agus go bhfuil ceanglais an-ard acu maidir le héilliú cáithníneach. Ag an am céanna, is gnách go mbíonn teocht ard i gceist leis an bpróiseas CVD, agus is féidir le Porous Graphite a chobhsaíocht fhisiceach agus cheimiceach a choinneáil ag teochtaí suas le 2500 ° C, rud a fhágann gur ábhar fíor-riachtanach é sa phróiseas CVD.

In ainneoin a struchtúr scagach, tá neart comhbhrúiteach de 50 MPa fós ag SiC Crystal Growth Porous Graphite, atá leordhóthanach chun an strus meicniúil a ghintear le linn déantúsaíochta leathsheoltóra a láimhseáil.

Mar cheannaire táirgí Porous Graphite i dtionscal leathsheoltóra na Síne, thug Veteksemi tacaíocht i gcónaí do sheirbhísí saincheaptha táirgí agus praghsanna táirgí sásúla. Is cuma cad iad na ceanglais shonracha atá agat, déanfaimid an réiteach is fearr do do Ghraifít Porous a mheaitseáil agus táimid ag tnúth le do chomhairliúchán ag am ar bith.

Airíonna fisiceacha bunúsacha ag SiC Crystal Growite Porous Graphite:

Siopaí táirgí VTek Semiconductor SiC Crystal Growite Porous Graphite:

Forbhreathnú ar an slabhra tionscal epitaxy sliseanna leathsheoltóra: