Iompróir Wafer Eipiteacs Carbide Sileacain

Is VeTek Semiconductor le rá saincheaptha Silicon Carbide Epitaxy Wafer Iompróir soláthróir i China.We a bheith speisialaithe i ábhar chun cinn níos mó ná 20 years.We thairiscint a Silicon Carbide Epitaxy Wafer Iompróir le haghaidh iompar tsubstráit SiC, ag fás ciseal epitaxy SiC in imoibreoir epitaxial SiC. Is cuid thábhachtach brataithe SiC de chuid leathmhóin é an t-iompróir sileacain Carbide Epitaxy Wafer seo, friotaíocht ard teochta, friotaíocht ocsaídiúcháin, friotaíocht caitheamh. Cuirimid fáilte mhór roimh duit cuairt a thabhairt ar ár monarcha sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Mar an monaróir gairmiúil, ba mhaith linn Iompróir Wafer Epitaxy Silicon Carbide ardchaighdeáin a sholáthar duit.

Tá Iompróirí Wafer Eipiteacsacha Leathsheoltóra VeTek Semiconductor Silicon Carbide deartha go sonrach don seomra epitaxial SiC. Tá raon leathan iarratas acu agus tá siad ag luí le samhlacha trealaimh éagsúla.

Cás Feidhmchláir:

Úsáidtear Iompróirí Wafer Eipiteacsacha Leathsheoltóra VeTek Semiconductor Silicon Carbide go príomha i bpróiseas fáis na sraitheanna epitaxial SiC. Cuirtear na gabhálais seo taobh istigh den imoibreoir epitaxy SiC, áit a dtagann siad i dteagmháil dhíreach le foshraitheanna SiC. Is iad na paraiméadair ríthábhachtacha le haghaidh sraitheanna epitaxial tiús agus aonfhoirmeacht tiúchan dópála. Mar sin, déanaimid measúnú ar fheidhmíocht agus ar chomhoiriúnacht ár ngabhálais trí shonraí a bhreathnú mar thiús scannáin, tiúchan iompróra, aonfhoirmeacht, agus garbh an dromchla.

Úsáid:

De réir an trealaimh agus an phróisis, is féidir lenár dtáirgí 5000 um ar a laghad de thiús ciseal epitaxial a bhaint amach i gcumraíocht leath gealaí 6 orlach. Feidhmíonn an luach seo mar thagairt, agus féadfaidh torthaí iarbhír a bheith éagsúil.

Múnlaí Trealamh Comhoiriúnacha:

Tá páirteanna graifíte atá brataithe le carbíd sileacain VeTek leathsheoltóra comhoiriúnach le samhlacha trealaimh éagsúla, lena n-áirítear LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, agus daoine eile.

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD SiC:

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD SiC
Maoin	Luach Tipiciúil
Struchtúr Criostail	FCC β chéim polycrystalline, go príomha (111) atá dírithe
Dlús	3.21 g / cm³
Cruas	Cruas 2500 Vickers (ualach 500g)
Grán SiZe	2~10μm
Íonacht Cheimiceach	99.99995%
Cumas Teasa	640 J·kg-1·K-1
Teocht sublimation	2700 ℃
Neart Flexural	415 MPa RT 4-phointe
Modal Óg	Bend 430 Gpa 4pt, 1300 ℃
Seoltacht Theirmeach	300W·m-1·K-1
Leathnú Teirmeach (CTE)	4.5×10-6K-1