Iompróir Wafer Graifíte Brataithe TaC

Tá VeTek Leathsheoltóra ar thús cadhnaíochta TaC Brataithe Graphite Wafer Iompróir agus nuálaí i China.We a bheith speisialaithe i SiC agus TaC sciath le blianta fada. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Is féidir leat a bheith cinnte Iompróir Wafer Graifíte Brataithe TaC saincheaptha a cheannach ó VeTek Semiconductor. Táimid ag tnúth le comhoibriú leat, más mian leat tuilleadh eolais a fháil, is féidir leat dul i gcomhairle linn anois, tabharfaimid freagra duit in am!

Idirghníomhaíonn Iompróir Wafer Graifíte Brataithe VeTek Semiconductor TaC go díreach le sliseog san imoibreoir epitaxy, ag cur le héifeachtúlacht agus feidhmíocht. Le rogha chomhdhúile sileacain nó sciath chomhdhúile tantalam, cuireann VeTek Semiconductor TaC Brataithe Graphite Wafer Carrier saolré leathnaithe, suas le 2-3 huaire níos faide le chomhdhúile tantalam. Ag luí le samhlacha meaisín éagsúla, lena n-áirítear foirnéisí epitaxy LPE SiC, JSG, foirnéisí epitaxial NASO.

Cinntíonn iompróir grafite leathsheoltóra VeTek atá brataithe le TaC stoichiometry imoibrithe beacht, cuireann sé cosc ar imirce eisíontas, agus coinníonn sé cobhsaíocht teochta thar 2000 ° C. Léiríonn sé friotaíocht iontach in aghaidh H2, NH3, SiH4, agus Si, ag cosaint i gcoinne timpeallachtaí ceimiceacha crua. D'ainneoin suaití teirmeacha, cuireann sé ar chumas timthriallta oibríochta tapa gan delamination brataithe.

Ráthaíonn sciath VeTek Semiconductor TaC íonacht ultra-ard, cuireann sé deireadh le neamhíonachtaí, agus cinntíonn sé go gcomhlíonann clúdach comhréireach lamháltais dhian-thoiseacha. Le cumais phróiseála grafite chun cinn VeTek Semiconductor, táimid feistithe chun freastal ar do chuid riachtanas saincheaptha. Cibé an bhfuil seirbhísí brataithe nó réitigh chuimsitheacha ag teastáil uait, tá ár bhfoireann innealtóirí saineolaithe réidh chun an réiteach foirfe a dhearadh do d'fheidhmchláir shonracha. Muinín asainn chun táirgí ardchaighdeáin a sholáthar atá oiriúnaithe do do riachtanais agus d'ionchais.

Modh PVT SiC Crystal Growth

Paraiméadar táirge an Iompróra Wafer Graifíte Brataithe TaC

Airíonna fisiceacha sciath TaC
Dlús	14.3 (g/cm³)
Emissivity sonrach	0.3
Comhéifeacht leathnú teirmeach	6.3 10-6/K
Cruas (HK)	2000 HK
Friotaíocht	1 × 10-5 Ohm * cm
Cobhsaíocht theirmeach	<2500 ℃
Athraíonn méid graifíte	-10~-20um
Tiús sciath	≥20um luach tipiciúil (35um ±10um)