Wafer SiC cineál ais 4° uaire

Mar mhonaróir gairmiúil leathsheoltóra sa tSín, cineál p-ais VeTek Semiconductor 4° offSiC WaferTagraíonn sé do sliseog chomhdhúile sileacain 4H (SiC) a imíonn 4 ° ó phríomh-threo an chriostail (an c-ais de ghnáth) agus iad ag gearradh agus ag dul faoi dhópáil de chineál P. Úsáidtear an táirge seo de ghnáth i monarú feistí leictreonacha cumhachta agus feistí minicíochta raidió (RF) sa slabhra tionscal leathsheoltóra, agus tá buntáistí táirge den scoth aige.

Trí ghearradh eis-ais, is féidir le VeTek Semiconductor p-cineál p-cineál Wafer 4 ° uaire a laghdú go héifeachtach dislocations agus lochtanna a ghintear le linn fás na ciseal epitaxial, rud a fheabhsú cáilíocht an wafer. Ina theannta sin, cabhraíonn an treoshuíomh 4 ° Off-Ais le ciseal epitaxial níos comhionann agus saor ó lochtanna a fhás, feabhsaíonn sé cáilíocht an chiseal epitaxial, agus go ginearálta tá sé oiriúnach do mhonarú feistí ardfheidhmíochta.

Ina theannta sin, is féidir le táirgí de chineál p-cineál SiC Wafer ais VTek Semiconductor níos mó iompróirí poll a bheith ag an sliseog agus leathsheoltóir P-cineál a fhoirmiú trí neamhíonachtaí glacadóir dópála (cosúil le alúmanam nó bórón). Is minic a úsáidtear sliseog P-cineál 4H-SiC i monarú feistí cumhachta a dteastaíonn ciseal P-cineál orthu. Tá airíonna leictreacha den scoth ag an gcineál seo leathsheoltóra.

I gcomparáid le polymorphs eile cosúil le 6H-SiC,4H-SiCtá soghluaisteacht leictreon níos airde agus neart réimse leictrigh miondealaithe aige, agus tá sé oiriúnach do chásanna ard-minicíochta agus ardchumhachta. Ina theannta sin, tá friotaíocht ardvoltais agus ardteochta den scoth ag ábhair 4H-SiC, agus is féidir leo oibriú de ghnáth i dtimpeallachtaí crua.

2inch 4inch 4° as ais p-cineál SiC Wafer Caighdeáin a bhaineann le méid：

6 orlach 4° as ais p-cineál Wafer SiC Caighdeáin a bhaineann le méid：

Ais 4° as p-cineál Sic Wafer Modhanna braite agus téarmaíocht：

Tá foshraitheanna de chineál p-cineál 4H-SiC 4° de thalamh ag VeTek Semiconductor cheana féin ó 2 ~ 6 orlach.Tá an tsubstráit dópáilte le alúmanam agus is cosúil go gorm. Tá an friotachas idir 0.1 agus 0.7Ω•cm. 

Má tá ceanglais táirge agat maidir le SiC Wafer 4 ° lasmuigh den ais, fáilte romhat dul i gcomhairle linn.