Foshraith SiC de chineál N 4H

Leathsheoltóir VetekFoshraith SiC de chineál N 4Htá airíonna leictreacha, teirmeacha agus meicniúla den scoth ag táirgí, agus mar sin úsáidtear an táirge seo go forleathan i bpróiseáil feistí leathsheoltóra a dteastaíonn ardchumhacht, ard-minicíocht, teocht ard agus iontaofacht ard.

Tá neart an réimse leictrigh miondealaithe de 4H N-cineál SiC chomh hard le 2.2-3.0 MV/cm. Ceadaíonn an ghné táirge seo déantúsaíocht feistí níos lú chun voltais níos airde a láimhseáil, agus mar sin is minic a úsáidtear ár n-Substráit SiC 4H N-cineál chun MOSFETanna, Schottky agus JFETs a mhonarú.

Tá seoltacht theirmeach 4H N-cineál SiC Wafer thart ar 4.9 W / cm · K, rud a chabhraíonn le teas a scaipeadh go héifeachtach, carnadh teasa a laghdú, saol an fheiste a leathnú, agus tá sé oiriúnach le haghaidh feidhmeanna dlús ardchumhachta.

Ina theannta sin, is féidir le Vetek Semiconductor 4H N-cineál SiC Wafer feidhmíocht leictreonach cobhsaí a bheith fós ag teochtaí suas le 600 ° C, mar sin is minic a úsáidtear é chun braiteoirí ardteochta a mhonarú agus tá sé an-oiriúnach do thimpeallachtaí foircneacha.

Trí chiseal epitaxial chomhdhúile sileacain a fhás ar fhoshraith chomhdhúile sileacain n-cineál, is féidir an wafer homoepitaxial chomhdhúile sileacain a dhéanamh tuilleadh i bhfeistí cumhachta mar SBD, MOSFET, IGBT, etc., a úsáidtear i bhfeithiclí leictreacha, iompar iarnróid, ard. -tarchur cumhachta agus claochlú, etc.

Leanann Vetek Semiconductor le cáilíocht criostail níos airde agus cáilíocht próiseála chun freastal ar riachtanais an chustaiméara. Faoi láthair, tá an dá tháirgí 6-orlach agus 8-orlach ar fáil. Seo a leanas bunpharaiméadair táirge Foshraith SIC 6-orlach agus 8-orlach:

6 lnch N-cineál Foshraith SiC SONRAÍOCHTAÍ BUNÚSACHA TÁIRGE:

8 lnch N-cineál Foshraith SiC SONRAÍOCHTAÍ BUNÚSACHA TÁIRGÍ:

Modh agus Téarmaíocht Braite Foshraith SiC de chineál N 4H: