Fáinne Inlet Cumhdach SiC

Tá Vetek Semiconductor ar fheabhas as a bheith ag comhoibriú go dlúth le cliaint chun dearaí ordaithe a dhéanamh le haghaidh Fáinne Ionraoin Cumhdach SIC atá oiriúnaithe do riachtanais shonracha. Na Fáinne Inlet Cumhdach SiC seo Déantar iad a innealtóireacht go cúramach le haghaidh feidhmeanna éagsúla cosúil le trealamh CVD SiC agus epitaxy carbide sileacain. Maidir le réitigh oiriúnaithe Fáinne Ionraoin Cumhdach SiC, ná bíodh drogall ort teagmháil a dhéanamh le Vetek Semiconductor chun cúnamh pearsanta a fháil.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá Fáinne Inlet Cumhdach SiC ardchaighdeáin á thairiscint ag monaróir na Síne Vetek Semiconductor. Ceannaigh Fáinne Inlet Coating SiC atá ar ardchaighdeán go díreach le praghas íseal.

Déanann Vetek Semiconductor sainfheidhmiú ar threalamh táirgeachta iomaíoch ardleibhéil atá oiriúnaithe don tionscal leathsheoltóra a sholáthar, ag díriú ar chomhpháirteanna graifíte atá brataithe le SiC cosúil le Fáinne Ionsáigh Cumhdach SiC do chórais SiC-CVD tríú glúin. Éascaíonn na córais seo fás sraitheanna epitaxial criostail aonair aonfhoirmeacha ar fhoshraitheanna chomhdhúile sileacain, atá riachtanach chun feistí cumhachta a mhonarú mar dé-óid Schottky, IGBTanna, MOSFETanna, agus comhpháirteanna leictreonacha éagsúla.

Cumascann an trealamh SiC-CVD próiseas agus trealamh gan uaim, ag tairiscint buntáistí suntasacha maidir le cumas táirgthe ard, comhoiriúnacht le sliseog 6/8-orlach, éifeachtúlacht costais, rialú fás uathoibríoch leanúnach ar fud foirnéisí iolracha, rátaí íseal locht, agus cothabháil áisiúil agus iontaofacht trí theocht. agus dearaí rialaithe páirce sreafa. Nuair a dhéantar é a phéireáil lenár bhFáinne Ionsáigh Cumhdach SiC, feabhsaíonn sé táirgiúlacht trealaimh, fadaíonn sé saolré oibriúcháin, agus bainistíonn sé costais go héifeachtach.

Tá Fáinne Inlet Cumhdach SiC Vetek Semiconductor tréithrithe ag ard-íonacht, airíonna cobhsaí graifíte, próiseáil bheacht, agus an buntáiste breise a bhaineann le sciath CVD SiC. Cosnaíonn cobhsaíocht ardteochta na bratuithe cairbíde sileacain foshraitheanna ó chreimeadh teasa agus ceimiceach i dtimpeallachtaí foircneacha. Tairgeann na bratuithe seo cruas ard agus friotaíocht caitheamh freisin, rud a chinntíonn saolré leathnaithe an tsubstráit, friotaíocht creimeadh i gcoinne ceimiceán éagsúla, comhéifeachtaí íseal frithchuimilte le haghaidh caillteanais laghdaithe, agus seoltacht theirmeach feabhsaithe le haghaidh diomailt teasa éifeachtach. Tríd is tríd, soláthraíonn bratuithe chomhdhúile sileacain CVD cosaint chuimsitheach, ag leathnú saolré an tsubstráit agus ag feabhsú feidhmíochta.

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD SiC:

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD SiC
Maoin	Luach Tipiciúil
Struchtúr Criostail	FCC β chéim polycrystalline, go príomha (111) atá dírithe
Dlús	3.21 g / cm³
Cruas	Cruas 2500 Vickers (ualach 500g)
Grán SiZe	2~10μm
Íonacht Cheimiceach	99.99995%
Cumas Teasa	640 J·kg-1·K-1
Teocht sublimation	2700 ℃
Neart Flexural	415 MPa RT 4-phointe
Modal Óg	Bend 430 Gpa 4pt, 1300 ℃
Seoltacht Theirmeach	300W·m-1·K-1
Leathnú Teirmeach (CTE)	4.5×10-6K-1