Tantalum Carbide TAC Brataithe Leathmhona

Is é VeTek Semiconductor an monaróir agus an soláthraí tosaigh sa tSín le haghaidh Halfmoon Brataithe Tantalum Carbide TaC, speisialaithe i T&F agus táirgeadh, is féidir leis an gcáilíocht a rialú go maith agus praghas iomaíoch a thairiscint. Tá fáilte romhat cuairt a thabhairt ar ár n-mhonarcha le haghaidh tuilleadh plé ar chomhar fadtéarmach.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá VeTek Semiconductor gairmiúil tSín Tantalum Carbide TaC Brataithe Halfmoon monaróir agus an soláthraí. Tairgeann VeTek Semiconductor Tantalum Carbide TaC Brataithe Halfmoon, a bhfuil ról tacaíochta agus iompair aige sa phróiseas epitaxial de chomhdhúile sileacain, ní hamháin go dtacaíonn sé leis an tsubstráit, ach soláthraíonn sé bunús cothrom freisin, rud a ligeann don epitaxy fás go haonfhoirmeach air.

Bíonn tionchar díreach ag cáilíocht agus feidhmíocht an chuid halfmoon ar chaighdeán agus ar fheidhmíocht an wafer le linn phróiseas epitaxial chomhdhúile sileacain. Dá bhrí sin, tá sé ríthábhachtach an chuid leathmhóin chuí a dhearadh agus a roghnú chun go n-éireoidh le próiseas epitaxial SiC. Is féidir leis an Halfmoon Brataithe Tantalum Carbide TaC déanta ag VeTek Semiconductor a fhriotaíocht ard-teocht, friotaíocht creimeadh, agus friotaíocht caitheamh a fheabhsú, go mór feabhas a chur ar chobhsaíocht agus ar shaolré an chomhpháirt leath ghealach le linn an phróisis fáis.

Paraiméadar an Chlúdach Carbide Tantalum:

Airíonna fisiceacha sciath TaC
Dlús	14.3 (g/cm³)
Emissivity sonrach	0.3
Comhéifeacht leathnú teirmeach	6.3 10-6/K
Cruas (HK)	2000 HK
Friotaíocht	1 × 10-5 Ohm * cm
Cobhsaíocht theirmeach	<2500 ℃
Athraíonn méid graifíte	-10~-20um
Tiús sciath	≥20um luach tipiciúil (35um ±10um)