Iompróir Wafer Cumhdach CVD TaC

Le linn an phróisis déantúsaíochta leathsheoltóra, VeTek Semiconductor'sIompróir Wafer Cumhdach CVD TaCis tráidire é a úsáidtear chun sliseog a iompar. Úsáideann an táirge seo próiseas sil-leagan ceimiceach gaile (CVD) chun sraith de Chumhdach TaC a chóta ar dhromchla anFoshraith Iompróir Wafer. Is féidir leis an sciath seo feabhas suntasach a chur ar ocsaídiú agus friotaíocht creimeadh an iompróra wafer, agus éilliú cáithníní á laghdú le linn próiseála. Is comhpháirt thábhachtach é i bpróiseáil leathsheoltóra.

Leathsheoltóirí VeTekIompróir Wafer Cumhdach CVD TaCcomhdhéanta de shubstráit agus asciath chomhdhúile tantalam (TaC)..

Is gnách go mbíonn tiús bratuithe chomhdhúile tantalam sa raon 30 miocrón, agus tá pointe leá chomh hard le 3,880 ° C ag TaC agus é ag soláthar creimeadh agus friotaíocht caitheamh den scoth, i measc airíonna eile.

Tá bunábhar an iompróra déanta as graifít ard-íonachta nócairbíd sileacain (SIC), agus ansin tá ciseal TaC (cruas Knoop suas le 2000HK) brataithe ar an dromchla trí phróiseas CVD chun a fhriotaíocht creimeadh agus a neart meicniúil a fheabhsú.

Iompróir Wafer Cumhdach CVD TaC VeTek Semiconductor de ghnáthimríonn sé na róil seo a leanas le linn an phróisis iompair sliseog:

Luchtú agus fosúchán wafer: Tá cruas Knoop de chomhdhúile tantalam chomh hard le 2000HK, rud a d'fhéadfadh tacaíocht chobhsaí an wafer a chinntiú go héifeachtach sa seomra imoibrithe. In éineacht le seoltacht teirmeach maith TaC (tá an seoltacht theirmeach thart ar 21 W/mK), is féidir é a dhéanamh Téitear an dromchla wafer go cothrom agus coinníonn sé dáileadh teocht aonfhoirmeach, rud a chabhraíonn le fás aonfhoirmeach an chiseal epitaxial a bhaint amach.

Éilliú cáithníní a laghdú: Cuidíonn dromchla réidh agus cruas ard bratuithe CVD TaC le frithchuimilt a laghdú idir an t-iompróir agus an wafer, rud a laghdaíonn an baol éillithe cáithníní, rud atá ríthábhachtach chun feistí leathsheoltóra ardchaighdeáin a mhonarú.

Cobhsaíocht ard-teocht: Le linn próiseála leathsheoltóra, is gnách go mbíonn na teochtaí oibriúcháin iarbhír idir 1,200 ° C agus 1,600 ° C, agus tá leáphointe chomh hard le 3,880 ° C ag bratuithe TaC. In éineacht lena chomhéifeacht leathnú teirmeach íseal (tá an comhéifeacht leathnú teirmeach thart ar 6.3 × 10⁻⁶ / ° C), is féidir leis an iompróir a neart meicniúil agus cobhsaíocht tríthoiseach a choimeád faoi choinníollacha teocht ard, rud a chosc ar an wafer ó scoilteadh nó dífhoirmiúchán strus le linn próiseála.

Bratú chomhdhúile tantalam (TaC) ar thrasghearradh micreascópach:

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD TaC：