SiC sciath ALD susceptor

Leathsheoltóir VeTekSiC sciath ALD susceptorról ríthábhachtach i sil-leagan ciseal adamhach (ALD) próiseas. Cinntíonn a rialú teochta beacht, dáileadh aonfhoirmeach gáis, friotaíocht ard ceimiceach agus seoltacht teirmeach den scoth aonfhoirmeacht agus ardchaighdeán an phróisis taisce scannáin. Más mian leat tuilleadh eolais a fháil, is féidir leat dul i gcomhairle linn láithreach agus freagróimid tú in am!

Rialú teochta beacht:

De ghnáth tá córas rialaithe teocht ard-chruinneas ag súthaire SiC sciath ALD. Tá sé in ann timpeallacht teocht aonfhoirmeach a chothabháil ar fud an phróisis taisce, rud atá ríthábhachtach chun aonfhoirmeacht agus cáilíocht an scannáin a chinntiú.

Dáileadh aonfhoirmeach gáis:

Cinntíonn dearadh optamaithe susceptor sciath SiC ALD dáileadh aonfhoirmeach an gháis le linn phróiseas sil-leagan ALD. Cuimsíonn a struchtúr páirteanna rothlach nó gluaiseachta iolracha de ghnáth chun clúdach aonfhoirmeach na ngás imoibríocha a chur chun cinn ar fud an dromchla wafer ar fad.

Friotaíocht ceimiceach ard:

Ós rud é go mbaineann an próiseas ALD le héagsúlacht na ngás ceimiceacha, tá sciath SiC ALD susceptor déanta as ábhair creimeadh-resistant (cosúil le platanam, criadóireacht nó Grianchloch ard-íonachta) chun seasamh in aghaidh creimeadh gáis cheimiceacha agus tionchar timpeallachtaí teocht ard.

Seoltacht teirmeach den scoth:

D'fhonn teas a sheoladh go héifeachtach agus teocht taisce cobhsaí a chothabháil, is gnách go n-úsáideann sochtóirí ALD sciath SiC ábhair seoltacht teirmeach ard. Cuidíonn sé seo le róthéamh áitiúil agus sil-leagan míchothrom a sheachaint.

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath CVD SiC:

Siopaí táirgeachta:

Forbhreathnú ar an slabhra tionscal epitaxy sliseanna leathsheoltóra：